Optical and electrical properties of metallic nanostructures as electrode material for wide bandgap semiconducting junctions

Abstract

Optoelectronic components are made of active layers sandwiched between two electrodes. The challenge in developing transparent devices is to combine optical transparency and electrical conductivity, since highly transparent materials (glass, plastic) are insulating, while highly electrically conducting materials (silver, gold) are opaque. We fabricated a transparent electrode made of a silver nanowire network and relied on a wide band gap semiconductor (Cu2O and Cu2O:Mg) to make the p-type layer of a pn-junction. The goal was to test the compatibility between the silver nanowire network and the underlying cuprous oxide thin film.

Les composants optoélectroniques sont constitués de couches actives prises en sandwich entre deux électrodes. Le défi du développement de dispositifs transparents consiste à combiner la transparence optique et la conductivité électrique, car les matériaux hautement transparents (verre, plastique) sont isolants, tandis que les matériaux très conducteurs d'électricité (argent, or) sont opaques. Nous avons fabriqué une électrode transparente constituée d'un réseau de nanofils d'argent déposée sur un semi-conducteur à large bande interdite (Cu2O et Cu2O:Mg) pour réaliser la couche de type p d'une jonction pn. L'objectif était de tester la compatibilité entre le réseau de nanofils d'argent et la couche mince d'oxyde cuivreux sous-jacente.