Research master thesis: Selective area epitaxy and near-field characterization of III-V nanostructures for quantum simulators
Rondeau--Body, Claire
Promoteur(s) : Silhanek, Alejandro ; Desplanque, Ludovic
Date de soutenance : 29-jui-2023/30-jui-2023 • URL permanente : http://hdl.handle.net/2268.2/17798
Détails
Titre : | Research master thesis: Selective area epitaxy and near-field characterization of III-V nanostructures for quantum simulators |
Titre traduit : | [fr] Epitaxie sélective et caractérisation en champ-proche de nanostructures III-V pour simulateurs quantiques |
Auteur : | Rondeau--Body, Claire |
Date de soutenance : | 29-jui-2023/30-jui-2023 |
Promoteur(s) : | Silhanek, Alejandro
Desplanque, Ludovic |
Membre(s) du jury : | Lumay, Geoffroy
Nguyen, Ngoc Duy Schlagheck, Peter |
Langue : | Anglais |
Nombre de pages : | 71 |
Mots-clés : | [en] Molecular Beam Epitaxy [en] Quantum Simulators [en] SSH chain [en] KPFM |
Discipline(s) : | Physique, chimie, mathématiques & sciences de la terre > Physique |
Institution(s) : | Université de Liège, Liège, Belgique |
Diplôme : | Master en sciences physiques, à finalité approfondie |
Faculté : | Mémoires de la Faculté des Sciences |
Résumé
[en] The goal of this work is to participate to the experimental implementation of InGaAs SSH chains. A technological process to reduce the size of the nanostructures from 80 to 35 nm has been developed. It has also been shown by KPFM measurements that it is possible to tune the Fermi level of an InGaAs nanowire by polarizing lateral metallic gates close to the nanowire.
Fichier(s)
Document(s)
s220322_RONDEAUBODY_master_thesis.pdf
Description: Master thesis - deposited on June 12th
Taille: 19.8 MB
Format: Adobe PDF
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L'Université de Liège ne garantit pas la qualité scientifique de ces travaux d'étudiants ni l'exactitude de l'ensemble des informations qu'ils contiennent.
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